这一部分终于更新完了，没想到最后写了这么多。为了更方便的理清半导体器件物理的内容，我做了一个很简略的思维导图，思维导图里有着跳转到每一篇文章的链接。我使用的是xmind软件做的思维导图，xmind文件…
降低栅绝缘层厚度 隧穿电流 在前面一节中，我们知道降低$T_{ox}$可以抑制DIBL，抑制亚阈值区漏电。并且，根据电流的公式，我们还知道可以提高$I_{on}$。但是，氧化层很薄会导致很多其他的问题…
亚阈值区电流 理想情况下，当$V_g<V_t$时，晶体管处于关断状态，将没有电流。但是，实际情况是此时依旧有电流，被称为亚阈值区电流。联想到MOS一节中，$V_t$是强反型时的临界电压，但是强反…
存储器的应用是十分广泛的，而且往往会占据处理器芯片的大部分面积。而它们的核心器件就是MOSFET。 主要分类 易失性存储器 SRAM（静态RAM） DRAM（动态RAM） 非易失性存储器 以flash…
在电流的公式中，$I=WQv$，体效应体现了对$Q$的修正。那么速度呢？ 速度饱和 在基本的IV模型中，在夹断区中，反型电子数为0。如果要保证有一个有限的电流，那就要求载流子速度无穷大。但是这显然是不…
基本IV模型 同之前一样，分析电流依旧是需要知道载流子分布。上一篇的最后得到了反型层电子的分布。为了分析方便，忽略掉式中的负号，可以推导处电流公式，推导过程如下： $$ \begin{aligned}…
终于到MOSFET了，这也是半导体器件物理中的最后一大器件了。更新完MOSFET后，这个系列也差不多就结束了。不过我的研究方向就是FET相关的，在之后还是会随缘更新器件相关的知识的。下面正式开始。 M…
成像传感器是将光学图像转变为电学信号的传感器。CCD有着更好的性能，CMOS有着更低的成本。 CCD成像传感器 CCD是电荷耦合器件(Charge-Coupled Device)。它的核心是紧密排列的…
MOS的本质是一个电容，因此，它的C-V特性是最重要的特性。 C-V特性 MOS中涉及的电容一般指的是小信号电容，即： $$ C\equiv \frac{dQ_g}{dV_g}=- \frac{dQ_…
MOS是金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)，它的本质是一个电容。MOS电容的研究是学习MOSFET的基础。就像理解了PN结之后，BJT的内容就很好理解了一样，理…